Onlinekurs zum Modul Halbleiterbauelemente (VL, UE) Wintersemester 21/22.
Das Modul setzt sich zusammen aus Vorlesung (VL), Großübung (UE) und Praktikum (Pr) und bringt 6 LP. Jede Woche eine Vorlesung, jede zweite Woche eine Übung und ein Labortermin.
Prüfungsvoraussetzung ist das bestandene Praktikum (Eingangstests + Protokoll). Anmeldung zum Praktikum über MOSES zwingend erforderlich, sofern das Pr noch nicht abgeschlossen wurde.
Lehrinhalte
In diesem Modul werden die Grundlagen der Halbleiterbauelemente vermittelt und praktisch angewandt. Es werden sowohl physikalische Grundlagen zum Verständnis der Funktionsweise von Halbleiterbauelementen, sowie die Funktionsweise der wichtigsten Bauelemente detaillierter behandelt. Ein kurzer Ausflug in die Technologie erklärt die Herstellung der Halbleiterbauelemente.
Auszug aus den physikalischen Grundlagen: Zustandsdichte, Fermibesetzungswahrscheinlichkeit, Energiebändermodell, Generation und Rekombination von Ladungsträgern, Grundzüge der Quantenmechanik, pn-Übergang.
Auszug aus den behandelten Bauelementen: pn-Diode, Tunneldiode, MOSFET, Bipolar Transistor, Power MOS, IGBT, LED, Halbleiterlaser, Solarzelle.
- Trainer/in: Benjamin Paul Jusko
- Trainer/in: Uwe Kerst
- Trainer/in: Hamza Messaoudi
- Trainer/in: Bertwin Bilgrim Otto Seibertz
- Trainer/in: Bernd Szyszka
- Trainer/in: Roland Thewes